アーリー電圧・チャネル長変調係数

BJTの非飽和領域や、FETの飽和領域を扱う際に、電流が完全に飽和せずにあるいはの増加に伴い微増します。この効果をモデル化するのに、アーリー電圧やチャネル長変調係数といった、一時近似をつかうのですが・・・

なんで、パラメータ１つで扱えるのでしょうね。特性の非飽和領域を外挿すると一点に集まるのはなぜか、ということなのですが。
うーむ。

【追記】
BJTについては理論式があるようです。式は追えましたが、鍵となる式がどこかおさえられない・・・。

MOSについては、『式はあるけど精度がないよ』という元も子もない記述を発見してしまいました。